DB HiTek achève la qualification de fiabilité du procédé de fabrication des MOSFET SiC de 8 pouces et 1 200 V
Mise en place du premier processus complet au monde de fabrication de SiC de 8 pouces L'entreprise fournit à ses clients des PDK de première et deuxième générations, la troisième génération étant prévue pour novembre ; cela devrait permettre de réduire le délai de développement des...
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