Z-Angle Memory: ZAM soll besser als HBM werden

Die Softbank-Tochter SAIMEMORY will in Kooperation mit Intel einen neuen Speicher auf Basis von DRAM entwickeln. Der sogenannte Z-Angle Memory (ZAM) wird schon als HBM-Konkurrent gehandelt, soll aber mehr Speicherplatz bieten und weniger Strom verbrauchen. Wie es um die Leistung bestellt ist, bleibt unklar.