Fotomasken und High-NA: Samsung beginnt 2028 mit High-NA-EUV-Fertigung für DRAM

Samsung wird bereits ab 2028 High-NA-EUV-Lithografie für die Herstellung von DRAM-Chips nutzen. Auch hier stehen größere Fotomasken im Fokus, wenngleich diese für die ersten kleinen Chips noch nicht zwingend notwendig sind. Das könnte sich aber ändern, wenn Samsung Foundry künftig externe Kunden gewinnen möchte.