3D-NAND: Intel und SK Hynix setzen neue Maßstäbe bei der Flächendichte

Die jährliche International Solid State Circuits Conference bringt immer wieder erste Details zu kommenden Generation von NAND-Flash-Speicher hervor. So stellen Intel und SK Hynix Speicherchips in Aussicht, die erstmals eine Flächendichte von über 20 Gbit/mm² aufweisen sollen. Die technische Umsetzung ist sehr unterschiedlich.